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Samsung 860 EVO M.2 2000 Go Série ATA III V-NAND MLC

Samsung 860 EVO M.2 2000 Go Série ATA III V-NAND MLC

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2 To, M.2 SSD, SATA 6 Go/s, V-NAND 3bit MLC, 512 Mo Cache LPDDR4
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Référence : MZ-N6E2T0BW
EAN : 8801643068660

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2 To, M.2 SSD, SATA 6 Go/s, V-NAND 3bit MLC, 512 Mo Cache LPDDR4



Le SSD fiable par excellence
Découvrez la nouvelle édition de la gamme SSD Samsung SATA, la gamme Samsung 860 EVO. Spécialement conçus pour une utilisation sur PC au quotidien, avec la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, ces SSD aussi rapides que fiables sont disponibles dans plusieurs formats et capacités.

Une performance améliorée
Le 860 EVO offre les meilleures performances de lecture et d’écriture, même en multitâche. Le 860 EVO peut offrir des vitesses d’écriture jusqu'à 520 Mo/s grâce à la technologie intelligente TurboWrite, et des vitesses de lecture jusqu'à 550 Mo/s.

Une endurance sans concession
Stockez vos informations en tout sécurité et lisez des vidéos 4k et des données 3D en toute simplicité. Avec jusqu’à 8 fois plus de TBW que le précédent 850 EVO, le 860 EVO offre une endurance et une fiabilité supérieures renforcées par une garantie de 5 ans. La dernière technologie V-NAND vous offre jusqu'à 2 400 TBW.

Une compatibilité exceptionnelle
Bénéficiez d'une communication plus rapide et plus fluide avec votre système hôte. L'*algorithme ECC et le nouveau contrôleur MJX génèrent des vitesses plus élevées et améliorent la compatibilité avec Linux.
Poids et dimensions
Largeur:80,2 mm
Profondeur:22,1 mm
Hauteur:2,38 mm
Poids:8 g
Puissance
Consommation (max):4 W
Conditions environnementales
Température d'opération:0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement:1500 G
Informations sur l'emballage
Manuel d'utilisation:
Caractéristiques
Facteur de forme SSD:M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD):2000 Go
Interface:Série ATA III
Type de mémoire:V-NAND MLC
composant pour:PC/ordinateur portable
Le chiffrement matériel:
Algorithme de sécurité soutenu:256-bit AES
Taux de transfert des données:6 Gbit/s
Vitesse de lecture:550 Mo/s
Vitesse d'écriture:520 Mo/s
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif):
Support S.M.A.R.T.:
Support TRIM:
Temps moyen entre pannes:1500000 h

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