Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe
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En Stock - Produit neufSamsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s
Référence : MZ-V9E2T0BW
EAN : 8806095300269
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Entre le 02/05/2024 et le 03/05/2024
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Garantie
2 ans
Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Détails techniques
Poids et dimensions
Puissance
Conditions environnementales
Informations sur l'emballage
Caractéristiques
Période de garantie: | 5 année(s) |
---|
Largeur: | 80,2 mm |
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Profondeur: | 22,1 mm |
Hauteur: | 2,38 mm |
Poids: | 9 g |
Tension de fonctionnement: | 3,3 V |
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Consommation électrique (Lecture): | 5,5 W |
Consommation électrique (Ecriture): | 4,7 W |
Consommation d 'énergie (en mode veille): | 0,005 W |
Consommation électrique (idle): | 0,06 W |
Température d'opération: | 0 - 70 °C |
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Température hors fonctionnement: | -40 - 85 °C |
Humidité relative de fonctionnement (H-H): | 5 - 95% |
Taux d'humidité relative (stockage): | 5 - 95% |
Vibrations hors fonctionnement: | 20 G |
Choc hors fonctionnement: | 1500 G |
Type d'emballage: | Boîte |
---|
Facteur de forme SSD: | M.2 |
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Capacité du Solid State Drive (SSD): | 2 To |
Interface: | PCI Express 4.0 |
Type de mémoire: | V-NAND TLC |
NVMe: | |
composant pour: | Universel |
Le chiffrement matériel: | |
Version NVMe: | 2.0 |
Algorithme de sécurité soutenu: | 256-bit AES |
Vitesse de lecture: | 5000 Mo/s |
Vitesse d'écriture: | 4200 Mo/s |
Flux de données d'interface PCI Express: | x4 |
Taille du SSD M.2: | 2280 (22 x 80 mm) |
Révision CEM PCI Express: | 4.0 |
Support S.M.A.R.T.: | |
Support TRIM: | |
Temps moyen entre pannes: | 1500000 h |
Classe TBW: | 1200 |