Samsung 990 EVO M.2 2 To PCI Express 4.0 V-NAND TLC NVMe

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Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s
Référence : MZ-V9E2T0BW
EAN : 8806095300269
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Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s

Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Détails techniques
Période de garantie:5 année(s)
Poids et dimensions
Largeur:80,2 mm
Profondeur:22,1 mm
Hauteur:2,38 mm
Poids:9 g
Puissance
Tension de fonctionnement:3,3 V
Consommation électrique (Lecture):5,5 W
Consommation électrique (Ecriture):4,7 W
Consommation d 'énergie (en mode veille):0,005 W
Consommation électrique (idle):0,06 W
Conditions environnementales
Température d'opération:0 - 70 °C
Température hors fonctionnement:-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H):5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage):5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement:20 G
Choc hors fonctionnement:1500 G
Informations sur l'emballage
Type d'emballage:Boîte
Caractéristiques
Facteur de forme SSD:M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD):2 To
Interface:PCI Express 4.0
Type de mémoire:V-NAND TLC
NVMe:
composant pour:Universel
Le chiffrement matériel:
Version NVMe:2.0
Algorithme de sécurité soutenu:256-bit AES
Vitesse de lecture:5000 Mo/s
Vitesse d'écriture:4200 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Express:x4
Taille du SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
Révision CEM PCI Express:4.0
Support S.M.A.R.T.:
Support TRIM:
Temps moyen entre pannes:1500000 h
Classe TBW:1200
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